IRFB59N10D
販売終了
RoHS対応

IRFB59N10D

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

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IRFB59N10D
IRFB59N10D

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    59 A
  • Ptot (最大)
    200 W
  • Qgd
    36 nC
  • QG (typ @10V)
    76 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    25 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.75 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V~5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFB59N10DPBF
製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ