IRF9952
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IRF9952

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IRF9952
IRF9952
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -2.3 A, 3.5 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    1.8 nC, 1.1 nC
  • QG (typ @10V)
    6.9 nC, 6.1 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    250 mΩ, 100 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    150 mΩ, 400 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -30 V, 30 V
  • VGS(th) (最小)
    1 V, -1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.17
  • 極性
    N+P
推奨
OPN
IRF9952TRPBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Dual N and P-Channel MOSFET

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }