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IRF7509
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IRF7509

生産終了
30V Dual N- and P- Channel Power MOSFET in a Micro 8 package
データシート

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IRF7509
IRF7509
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    2.7 A, -2 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    1.25 W
  • Qgd (typ)
    2.5 nC, 2.5 nC
  • QG (typ @10V)
    7.5 nC, 7.8 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    110 mΩ, 200 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    175 mΩ, 400 mΩ
  • RthJA (最大)
    100 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -30 V, 30 V
  • VGS(th) (最小)
    -1 V, 1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    Micro8 (MO-187)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.16
  • 極性
    N+P

OPN
IRF7509TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ MICRO8
パッケージ名 Micro8 (MO-187)
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ MICRO8
パッケージ名 Micro8 (MO-187)
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Low profile package (less than 1.1mm)

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Compact form factor

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ