IRF7465
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IRF7465

IR MOSFET 150 V in a SO-8 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IRF7465
IRF7465
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データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    1.9 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    5 nC
  • QG (typ @10V)
    10 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    280 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.22
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

推奨
OPN
IRF7465TRPBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
PH,TH
ウェハ製造国
CN
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
PH,TH
ウェハ製造国
CN
個.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS , lighting , load switches as well as battery powered applications.

利点

  • RoHS compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully characterized avalanche voltage and current
  • Low gate-to-drain charge to reduce switching losses
  • Fully characterized capacitance including effective coss to simplify design
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ