IRF6711S

IRF6711S

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 19 amperes optimized with low on resistance.

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IRF6711S
IRF6711S

製品仕様情報

  • ID (@ TA=70°C) (最大)
    15 A
  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    19 A
  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    84 A
  • Ptot (最大)
    42 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.2 W
  • Qgd
    4.4 nC
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    6.5 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.8 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    3.8 mΩ
  • RthJC (最大)
    3 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET SQ
  • マイクロステンシル
    IRF66SQ-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • 100% Rg tested
  • Low Profile (less than 0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling
  • Optimized for Control FET Applications
  • Optimized for High Frequency Switching
  • Low Package Inductance

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ