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生産終了
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RoHS準拠

IRF630NS

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200V Single N-Channel IR MOSFET in a D2-Pak package
データシート
パッケージ

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IRF630NS
IRF630NS
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    9.3 A
  • Ptot max
    82 W
  • Qgd
    11.3 nC
  • QG (typ @10V)
    23.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    300 mΩ
  • RthJC max
    1.83 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.41
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRF630NSTRLPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard surface-mount power package
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High current carrying capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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