IRF6217

IRF6217

-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

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IRF6217
IRF6217

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -0.7 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    2.8 nC
  • QG (typ @10V)
    6 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2400 mΩ
  • RthJC (最大)
    20 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -150 V
  • VGS(th) 範囲
    -3 V~-5 V
  • VGS(th)
    -4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Industry-leading quality
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Fully Avalanche Rated
  • 175°C Operating Temperature
  • P-Channel MOSFET

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ