IRF6217

-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

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IRF6217
IRF6217
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -0.7 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    2.8 nC
  • QG (typ @10V)
    6 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2400 mΩ
  • RthJC max
    20 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -150 V
  • VGS(th)
    -4 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Industry-leading quality
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Fully Avalanche Rated
  • 175°C Operating Temperature
  • P-Channel MOSFET

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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