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RoHS準拠

IRF5210L

-100V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-262 package

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IRF5210L
IRF5210L

Product details

  • ID (@25°C) max
    -38 A
  • Ptot max
    200 W
  • Qgd
    64.7 nC
  • QG (typ @10V)
    150 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    60 mΩ
  • RthJC max
    0.75 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -100 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 実装
    THT
  • 極性
    P
OPN
IRF5210LPBF
製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 I2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 I2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High current carrying capability

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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