IRF5210L
販売終了
RoHS対応

IRF5210L

-100V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-262 package
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF5210L
IRF5210L
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -38 A
  • Ptot (最大)
    200 W
  • Qgd
    64.7 nC
  • QG (typ @10V)
    150 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    60 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.75 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -100 V
  • VGS(th) 範囲
    -2 V～-4 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 実装
    THT
  • 極性
    P

OPN
IRF5210LPBF
製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
TO262
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
TO262
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High current carrying capability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ