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IRF1010NS
生産終了
生産終了
RoHS対応

IRF1010NS

生産終了
IR MOSFET 55 V in a D²PAK package
データシート
パッケージ

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IRF1010NS
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データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    85 A
  • Ptot (最大)
    3.8 W
  • Qgd
    27.3 nC
  • QG (typ @10V)
    80 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    11 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.85 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.46
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRF1010NSTRLPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 800
梱包形態 TAPE & REEL LEFT
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
CN, US

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 800
梱包形態 TAPE & REEL LEFT
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
CN, US
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS , lighting , load switches as well as battery powered applications.

利点

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Industry standard surface-mount power package
  • High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)
  • Capable of being wave-soldered

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ