IRF1010EZS

IRF1010EZS

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

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IRF1010EZS
IRF1010EZS


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    84 A
  • Ptot (最大)
    140 W
  • Qgd
    21 nC
  • QG (typ @10V)
    58 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.5 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.11 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V~4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.51
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ