IR2101S
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IR2101S

600 V high-side and low-side gate driver IC
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IR2101S
IR2101S
個.
データシート


製品仕様情報

  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    150 ns
  • 伝搬遅延オン
    160 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.36 A
  • 出力電流 (Source)
    0.21 A
  • 絶縁方式
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V

推奨
OPN
IR2101STRPBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
個.
在庫あり
EiceDRIVER™ 600 V high and low-side gate driver IC with typical 0.21 A source and 0.36 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs with level-shift technology. Also available in 8 Lead PDIP .

特長

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervoltage lockout
  • 3.3, 5, & 15 V logic input compati.
  • Matched prop. delay for both chan.

利点

  • Bootstrap-capable floating channel drives the high-side switch without an isolated supply: smaller PCB area and lower BOM
  • Undervoltage lockout protects the switch from insufficient gate drive
  • High- and low-side driver gives flexible bridge control

アプリケーション

太陽光発電

図

IR210xx
IR210xx
IR210xx
×
modalImg
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ