IR2101S
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IR2101S

600 V high-side and low-side gate driver IC
パッケージ
個.
在庫あり

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IR2101S
IR2101S
個.

製品仕様情報

  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    150 ns
  • 伝搬遅延オン
    160 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.36 A
  • 出力電流 (Source)
    0.21 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
推奨
OPN
IR2101STRPBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
EiceDRIVER™ 600 V high and low-side gate driver IC with typical 0.21 A source and 0.36 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs with level-shift technology. Also available in 8 Lead PDIP .

特長

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervoltage lockout
  • 3.3, 5, & 15 V logic input compati.
  • Matched prop. delay for both chan.

アプリケーション

太陽光発電

図

IR210xx
IR210xx
IR210xx IR210xx IR210xx
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ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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