IQE036N08NM6
Active and preferred
RoHS対応

IQE036N08NM6

OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in PQFN 3.3x3.3 Source Down
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IQE036N08NM6
IQE036N08NM6
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    118 A
  • IDpuls (最大)
    472 A
  • QG (typ @10V)
    30 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.6 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.4 V～3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IQE036N08NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ 6 80 V - the latest power MOSFET technology offering industry benchmark performance. Compared to its predecessor, OptiMOS™ 5, Infineon's latest wafer technology offers significant performance improvement resulting to higher system efficiency and power density.

特長

  • High performance silicon technology
  • Normal level gate drive
  • 175°C rated
  • Industrial qualification

利点

  • Lower conduction losses than OptiMOS™ 5
  • Lower switching losses than OptiMOS™ 5
  • Improved heat dissipation
  • Improved power, SOA & avalanche current
  • Robust reliable performance
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }