IQD005N04NM6CG
Active and preferred
RoHS対応

IQD005N04NM6CG

OptiMOS™ power MOSFETs 40 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with very low RDS(on)
データシート

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IQD005N04NM6CG
IQD005N04NM6CG
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    610 A
  • IDpuls (最大)
    2440 A
  • QG (typ @10V)
    129 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.47 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.8 V～2.8 V
  • VGS(th)
    2.3 V
  • パッケージ
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.43
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Center-Gate
推奨
OPN
IQD005N04NM6CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The power MOSFET IQD005N04NM6CG 40 V normal-level comes in a PQFN 5x6 mm2 Source-Down package. The part offers a very low RDS(on) of 0.5 mΩ combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications like SMPS , battery-powered applications, battery management , and low-voltage drives .

特長

  • OptiMOS™ 40 V with outstanding FOMs
  • Source-Down package with thermal
  • Source-Down with maximized chip ratio
  • Source-Down in Center-Gate footprint

利点

  • Minimized conduction losses
  • Reduced voltage overshoot
  • Increased maximum current capability
  • Fast switching
  • Less device paralleling required
  • Center-Gate for optimal parallelization
  • Lowest RDS(on) on 5x6 mm² PCB
  • Enhanced thermal management
  • Minimal parasitics, optimal switching
  • Industry standard package

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ