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IPTG210N25NM3FD
生産終了
生産終了
RoHS対応

IPTG210N25NM3FD

生産終了
OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
データシート
パッケージ

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IPTG210N25NM3FD
IPTG210N25NM3FD
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    77 A
  • IDpuls (最大)
    308 A
  • Ptot (最大)
    375 W
  • QG (typ @10V)
    65 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    21 mΩ
  • VDS (最大)
    250 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    144-200 V
  • パッケージ
    TOLG (HSOG-8)
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    3.7
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
IPTG210N25NM3FDATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The OptiMOS™ 3 power MOSFET 250 V IPTG210N25NM3FD comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ~60 percent board space reduction, offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current.

特長

  • Best in class technology
  • High current rating >300 A
  • Low ringing and voltage overshoot
  • 60% board space reduction
  • Gullwing leads

利点

  • High performance capability
  • High system reliability
  • High efficiency and lower EMI
  • Optimized board utilization
  • High thermal cycling on board handling

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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