IPLK60R1K0PFD7
アクティブ
RoHS対応

IPLK60R1K0PFD7

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in ThinPAK 5x6 package
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPLK60R1K0PFD7
IPLK60R1K0PFD7
データシート


製品仕様情報

  • ID (最大)
    5.2 A
  • ID (@25°C) (最大)
    5.2 A
  • IDpuls (最大)
    8.8 A
  • Ptot (最大)
    31.3 W
  • QG (typ @10V)
    6 nC
  • QG
    6 nC
  • RDS (on) (最大)
    1000 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1000 mΩ
  • Special Features
    price/performance
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Thin-PAK 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.36
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Thin-PAK 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Thin-PAK 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The 600V CoolMOS™ PFD7 high-voltage MOSFET series sets a new benchmark in 600V superjunction (SJ) technologies, shaped by Infineon’s experience of more than 20 years in pioneering in superjunction technology innovation. The series combines best-in-class performance with state-of-the-art ease of use and features an integrated fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced BOM for the customer.

特長

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Enables better control
  • Kelvin source

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ