新規設計は非推奨
RoHS準拠

IPLK60R1K0PFD7

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in ThinPAK 5x6 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPLK60R1K0PFD7
IPLK60R1K0PFD7
EA.
データシート

Product details

  • ID max
    5.2 A
  • ID (@25°C) max
    5.2 A
  • IDpuls max
    8.8 A
  • Ptot max
    31.3 W
  • QG
    6 nC
  • QG (typ @10V)
    6 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1000 mΩ
  • RDS (on) max
    1000 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Package
    Thin-PAK 5x6
  • Budgetary Price €/1k
    0.34
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Mounting
    SMT
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
OPN
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Thin-PAK 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Thin-PAK 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 600V CoolMOS™ PFD7 high-voltage MOSFET series sets a new benchmark in 600V superjunction (SJ) technologies, shaped by Infineon’s experience of more than 20 years in pioneering in superjunction technology innovation. The series combines best-in-class performance with state-of-the-art ease of use and features an integrated fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced BOM for the customer.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Enables better control
  • Kelvin source

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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