IPI086N10N3 G
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IPI086N10N3 G

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPI086N10N3 G
IPI086N10N3 G
個.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    2990 pF
  • Coss
    523 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    82 A
  • IDpuls (最大)
    320 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.6 mΩ
  • Rth
    1.2 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～5.7 V
  • VGS(th)
    4.5 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 予算価格€/ 1k
    0.59
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
OPN
IPI086N10N3GXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO262-3
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO262-3
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

特長

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest R DS(on)
  • Low Q g and Q gd
  • Excellent gate charge
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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