Active and preferred
RoHS準拠

IPF019N12NM6

Fully optimized best-in-class performance at 120 V
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPF019N12NM6
IPF019N12NM6
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    254 A
  • IDpuls max
    1016 A
  • Ptot max
    395 W
  • QG (typ @10V)
    113 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.9 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    2.6 V to 3.6 V
  • パッケージ
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 予算価格€/ 1k
    2.59
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPF019N12NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
This is a normal level 120 V MOSFET in D²PAK-7 pin package with 1.9 mOhm on-resistance. IPF019N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family .

機能

  • up to 58% better RDS(on)
  • up to 66% better FOMg
  • up to 90% better Qrr
  • up to 35% better FOMoss
  • Compared to the next best alternative, the technology features:
  • up to 51% better RDS(on)
  • up to 35% better FOMg
  • up to 6% better Qrr
  • up to 45% better FOMoss

利点

  • Very low on-resistance
  • Very low reverse recovery charge
  • Excellent gate charge x RDS(on)
  • High avalanche energy rating
  • 175°C junction temperature rating
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • MSL1 classified

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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