IPDQ60R055CFD7
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IPDQ60R055CFD7

Infineon’s answer to resonant high power topologies
データシート
パッケージ

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IPDQ60R055CFD7
IPDQ60R055CFD7
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    44 A
  • IDpuls (最大)
    129 A
  • Ptot (最大)
    266 W
  • QG
    67 nC
  • QG (typ @10V)
    67 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    55 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    55 mΩ
  • Special Features
    Fast recovery diode
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 予算価格€/ 1k
    2.89
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPDQ60R055CFD7XTMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The 600 V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market

特長

  • Ultra-fast body diode
  • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
  • Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
  • Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss
  • Best-in-class RDS(on)/package combinations

利点

  • Best-in-class hard commutation ruggedness
  • Highest reliability for resonant topologies
  • Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
  • Enabling increased power density solutions

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ