IPC218N06N3

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データシート

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IPC218N06N3
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データシート


製品仕様情報

  • EAS/Avalanche Energy
    500 mJ
  • RDS (on)
    1.3 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    100 mΩ
  • VBRDSS (最大)
    60 V
  • VDS
    60 V
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • ダイサイズ (-) 範囲
    3.7 mm²～5.9 mm²
  • ダイサイズ (Area)
    21.83 mm²
  • ダイサイズ (Y)
    3.7 mm
  • ダイサイズ (X)
    5.9 mm
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    2.05
  • 出力ドライバ
    1
  • 厚さ
    205
  • 技術
    OptiMOS™ 3
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
New OptiMOS™ 40V and 60V, Infineon’s latest generation of power MOSFETs, is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, telecom, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.

特長

  • Optimized for synchronous rectification
  • 15% lower R than alternative devices
  • 31% FOM over similar devices
  • Integrated Schottky-like diode

利点

  • Highest system efficiency
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • System cost reduction
  • Very low voltage overshoot

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ