IPA082N10NF2S
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IPA082N10NF2S

StrongIRFET™ 2 single n-channel power MOSFET 100V in TO-220 FullPAK package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPA082N10NF2S
IPA082N10NF2S
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    46 A
  • QG (typ @10V)
    28 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.2 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    0.57
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPA082N10NF2SXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220 FullPAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220 FullPAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V features RDS(on) of 8.2 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

特長

  • Broad availability distribution partners
  • Excellent price/performance ratio
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Standard through-hole package footprint
  • High current rating
  • Capable of wave-soldering

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Right-fit products
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard pinout for drop-in replacement
  • Increased current carrying capability
  • Ease of manufacturing

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ