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RoHS準拠
鉛フリー

IMZA65R057M1H

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMZA65R057M1H
IMZA65R057M1H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    85 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    57 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMZA65R057M1HXKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device’s performance, robustness, and ease of use. This 650V CoolSiC™ is built on a state-of-the-art trench MOSFET, optimized to allow no compromises in getting both the lowest switching losses for given on-state resistance in the application and the highest reliability in operation.

機能

  • 1st generation CoolSiC™
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • negligable Qrr
  • flat COSS
  • flat RDS(on) over temperature

利点

  • higher efficiency in hard switching
  • higher efficiency in soft switching
  • hard commutation on body diode
  • high reliability
  • Kelvin source
  • Kelvin source
  • increased creepage

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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