IMZA65R027M1H
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IMZA65R027M1H

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
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IMZA65R027M1H
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    184 A
  • Ptot (最大)
    189 W
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    34 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    27 mΩ
  • VDS (最大)
    650 V
  • パッケージ
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial

OPN
IMZA65R027M1HXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
AT
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT
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CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device’s performance, robustness, and ease of use. This 650V CoolSiC™ is built on a state-of-the-art trench MOSFET, optimized to allow no compromises in getting both the lowest switching losses for given on-state resistance in the application and the highest reliability in operation.

特長

  • 1st generation CoolSiC™
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • negligable Qrr
  • flat COSS
  • flat RDS(on) over temperature

利点

  • higher efficiency in hard switching
  • higher efficiency in soft switching
  • hard commutation on body diode
  • high reliability
  • Kelvin source
  • Kelvin source
  • increased creepage
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

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