IMW65R107M1H
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IMW65R107M1H

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
データシート
パッケージ
ボード
個.
在庫あり

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IMW65R107M1H
IMW65R107M1H
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    48 A
  • Ptot (最大)
    75 W
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    142 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    108 mΩ
  • VDS (最大)
    650 V
  • パッケージ
    TO247
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
OPN
IMW65R107M1HXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device performance, robustness, and ease of use. The IMW65R107M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is built on a state-of-the-art trench semiconductor, optimized to allow no compromises in getting both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. This SiC MOSFET comes in a TO247 3-pin package with a cost-effective performance.

特長

  • 1st generation CoolSiC™
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • negligable Qrr
  • flat COSS
  • flat RDS(on) over temperature

利点

  • higher efficiency in hard switching
  • higher efficiency in soft switching
  • hard commutation on body diode
  • high reliability
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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