IKW60N60H3
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IKW60N60H3

データシート
パッケージ

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IKW60N60H3
IKW60N60H3
データシート


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    1.13 mJ
  • Eon
    2.1 mJ
  • IC (@ 25° ) (最大)
    80 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    60 A
  • ICpuls (最大)
    180 A
  • IF (最大)
    80 A
  • IFpuls (最大)
    90 A
  • Irrm
    23 A
  • Ptot (最大)
    416 W
  • QGate
    375 nC
  • Qrr
    1200 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    6 Ω
  • td(off)
    291 ns
  • td(on)
    25 ns
  • tf
    23 ns
  • tr
    39 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.85 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • VF
    1.65 V
  • スイッチング周波数
    HighSpeed3 20-100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    20 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3

OPN
IKW60N60H3FKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE,MY

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE,MY
High speed 600 V, 60 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 co-packed with free-wheeling diode in a TO247 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

特長

  • Low switching losses
  • Excellent Vce(sat)behavior
  • Fast switching behavior
  • Low EMI emissions
  • Optimized diode for:
  • Improvement in switching losses
  • Low gate resistor select. possible
  • Excellent switch.behavior (@>5 Ω)
  • Short circuit capability 5µs
  • Offering Tj(max)of 175°C
  • Packaged with & without free. diode
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ