IKW40N65RH5
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IKW40N65RH5

650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
データシート
パッケージ

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IKW40N65RH5
IKW40N65RH5
データシート


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.12 mJ
  • Eon
    0.16 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    74 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    46 A
  • ICpuls (最大)
    160 A
  • IF (最大)
    18.5 A
  • IFpuls (最大)
    60 A
  • Ptot (最大)
    250 W
  • QGate
    95 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    15 Ω
  • td(off)
    165 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    13 ns
  • tr
    8 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 40-100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    40 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5, Silicon Carbide Schottky Diode

OPN
IKW40N65RH5XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
650 V, 40 A TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation Silicon Carbide CoolSiC™ Schottky barrier diode in TO-247-3 package. The ultra-fast 650 V hard-switching TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT benefits very low switching losses at switching speed above 30 kHz. Combination of ultra-fast TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT with half-rated freewheeling SiC Schottky barrier diodes in CoolSiC™ Hybrid discrete enables unprecedented reduction of total switching losses and allows to increase significantly switching frequency.

特長

  • Ultra-Low switching losses
  • TRENCHSTOP™ 5 IGBT
  • CoolSiC™ diode
  • Very low on-state losses
  • Benchmark switching efficiency*
  • *in hard switching topologies
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ