Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IDWD80G200C5

CoolSiC™ Schottky diode 2000 V in TO-247-2 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IDWD80G200C5
IDWD80G200C5
EA.
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    463 A
  • IF max
    80 A
  • IR
    40 µA
  • Ptot max
    656 W
  • QC
    716 nC
  • RthJC
    0.1 K/W
  • VF
    1.5 V
  • パッケージ
    PG-TO247-2
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IDWD80G200C5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-2
パッケージ名 N/A
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-2
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSiC™ Schottky diode 2000 V, 80 A generation 5 in a TO-247-2 package enables higher efficiency and design simplification in high DC link systems up to 1500 VDC. The diode offers first-class thermal performance thanks to the .XT interconnection technology and is highly robust against humidity demonstrated in HV-H3TRB reliability tests. The diode exhibits neither reverse recovery current nor forward recovery and feature a low forward voltage, ensuring enhanced system performance. The diode is the perfect fit for the matching CoolSiC™ MOSFET 2000 V portfolio.

機能

  • VRRM = 2000 V
  • IF = 80 A
  • VF = 1.5 V
  • No reverse recovery current
  • No forward recovery
  • High surge current capability
  • Low forward voltage
  • Tight forward voltage distribution
  • Specified dv/dt ruggedness
  • .XT interconnection technology

利点

  • High power density
  • Matching MOSFET available
  • Topology simplification

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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