IDW75D65D1
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IDW75D65D1

650 V silicon power diode in TO-247 package
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IDW75D65D1
IDW75D65D1
個.

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    580 A
  • IF (最大)
    150 A
  • IF
    75 A
  • IR (最大)
    40 µA
  • Irrm
    6.4 A
  • Ptot (最大)
    326 W
  • Qrr
    0.48 µC
  • RthJC (最大)
    0.46 K/W
  • trr
    127 ns
  • VF (最大)
    1.7 V
  • VF
    1.35 V
  • コンフィギュレーション
    Dual Anode
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス (最大)
    650 V
推奨
OPN
IDW75D65D1XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Rapid 1 switching 650 V, 75 A emitter controlled power silicon diodes in dual anode configuration and in a TO-247 package, allowing design optimization for more compact dimensions, easier assembly and consequently lower costs.

特長

  • 1.35 V temperature-stable VF
  • Highest softness-factor for:
  • Highest softness-factor for:
  • Low EMI filtering
  • For 18 kHz to 40 kHz applications
  • Lowest Irrmfor:
  • Lowest losses on boost switch
  • Low thermal resistance
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ