IDW30C65D1
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IDW30C65D1

データシート
パッケージ

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IDW30C65D1
IDW30C65D1
データシート


製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    120 A
  • IF (最大)
    30 A
  • IF
    15 A
  • IR (最大)
    40 µA
  • Irrm
    3.4 A
  • Ptot (最大)
    92 W
  • Qrr
    0.28 µC
  • RthJC (最大)
    1.64 K/W
  • trr
    114 ns
  • VF (最大)
    1.7 V
  • VF
    1.35 V
  • コンフィギュレーション
    Common Cathode
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス (最大)
    650 V

推奨
OPN
IDW30C65D1XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
MY
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
MY
Rapid 1 switching 650 V, 30 A emitter controlled silicon power diode in common cathode configuration and in a TO-247 package, allowing design optimization for more compact dimensions, easier assembly and consequently lower costs.

特長

  • 1.35 V temperature-stable VF
  • Highest softness-factor for:
  • Highest softness-factor for:
  • Low EMI filtering
  • For 18 kHz to 40 kHz applications
  • Lowest Irrmfor:
  • Lowest losses on boost switch
  • Low thermal resistance
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ