IDFW80C65D1
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IDFW80C65D1

650 V silicon power diode in TO-247 advanced isolation package
データシート
パッケージ

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IDFW80C65D1
IDFW80C65D1
データシート

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    320 A
  • IF (最大)
    74 A
  • IF
    59 A
  • IR (最大)
    40 µA
  • Irrm
    23.5 A
  • Ptot (最大)
    82 W
  • Qrr
    2.62 µC
  • RthJC (最大)
    1.34 K/W
  • trr
    73 ns
  • VF (最大)
    1.7 V
  • VF
    1.45 V
  • コンフィギュレーション
    Common Cathode
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス (最大)
    650 V
推奨
OPN
IDFW80C65D1XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Rapid 1 switching 650 V, 80 A emitter controlled silicon power diode in a TO-247 advanced isolation package for a best cost efficient solution.

特長

  • 650V emitter controlled technology
  • Temperature stable behaviour
  • Low forward voltage (VF)
  • Low reverse recovery charge (Qrr)
  • Low reverse recovery current (Irrm)
  • Maximum junction temperature 175°C
  • 2500 VRMS electrical isolation
  • 100% tested isolated mounted surface
  • Pb-free lead plating
  • RoHS compliant
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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