IDC51D120T6H

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データシート

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IDC51D120T6H
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データシート

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    200 A
  • IF (最大)
    100 A
  • IR (最大)
    18 µA
  • VDS (最大)
    1200 V
  • VF
    1.9 V
  • 技術
    Emitter Controlled Diode 4 High Power
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Emitter Controlled Diode is Infineon's unique Fast Recovery Diode technology. The ultrathin wafer and Fieldstop technology makes the Emitter Controlled Diode ideally suited for consumer and industry applications as it lowers the turn-on losses of the IGBT with soft recovery. The Emitter Controlled Diode is optimized for Infineon IGBT technology.

特長

  • 1200 V Emitter Controlled Diode 4
  • Soft, fast switching
  • Low reverse recovery charge
  • Small temperature coefficient

アプリケーション

図

IDWxx
IDWxx
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×
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ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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