CYEL15B102Q-SXM
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CYEL15B102Q-SXM

Radiation tolerant, highly reliable, small footprint, 2Mb non-volatile Serial Peripheral Interface (SPI) F-RAM for New Space
データシート
パッケージ

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CYEL15B102Q-SXM
CYEL15B102Q-SXM
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Frequency
    25 MHz
  • インターフェース
    SPI
  • インダクタンス
    SPI
  • パッケージ
    PG-SOIC-8
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    F-RAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pb-free
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 8
  • 認定
    Military

推奨
OPN
CYEL15B102QSXMXLSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 94
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 94
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Our radiation tolerant, 2Mb, SPI Ferroelectric RAM (F-RAM) is one of the industry’s lowest power, non-volatile memory solutions that is guaranteed to 50 Krad (Si) TID and virtually unlimited endurance. Infineon’s instant non-volatile write technology and greater than 100-year data retention provides the highest reliability for new space applications.

特長

  • Mb density
  • SPI interface operating up to 25 MHz
  • Infineon instant non-volatile write technology
  • 10-trillon read/write cycle endurance
  • 120 years data retention at +85°C
  • Extremely low programming voltage (2V)
  • 2.0 V–3.6 V operating voltage range
  • Low operating current (10 mA max)
  • –55°C/+125°C military temperature grade
  • 8-pin SOIC package

利点

  • AEC-Q006 compliant
  • ROHS compliant
  • 50 Krad (Si) TID radiation performance
  • Single Lot Date Code (SLDC)
  • 100% electrical testing coverage
  • Certificate of Conformance (CoC)

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ