CY7C2644KV18-300BZXI
Active and preferred
RoHS対応

CY7C2644KV18-300BZXI

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CY7C2644KV18-300BZXI
CY7C2644KV18-300BZXI


製品仕様情報

  • ECC
    N
  • Frequency
    300 MHz
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    Y
  • アーキテクチャ
    QDR-II+, ODT
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II+, ODT
  • メモリ容量
    144 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~1.9 V
  • 組織 (X x Y)
    4Mb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2.5

OPN
CY7C2644KV18-300BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C2644KV18-300BZXIは144 MbitのQDR II+同期パイプラインSRAMで、独立したリード/ライトポートと2ワードバースト構成を備えます。K/Kクロック両エッジでデータ転送(DDR:250 MHzで500 MHz)、2.0サイクルのリードレイテンシ、エコークロックCQ/CQ、QVLD、D・BWS・K/K対応のODTを搭載。コア電源1.8 V(VDD 1.7~1.9 V)、I/O電源VDDQは1.4 V~VDD、165ボールCCGAです。

特長

  • QDR II+独立読/書込2ポート
  • アドレス当たり2ワードバースト
  • 250 MHz DDR(500 MHz)
  • D/Q分離でバス回転不要
  • DOFF高:読出し遅延2cyc
  • QDR Iモード:遅延1cyc
  • D/BWS/K/K入力にODT内蔵
  • CQ/CQエコークロック出力
  • QVLDでデータ有効を通知
  • PLL動作120–250 MHz
  • ZQにRQ接続で出力インピ調整
  • VDD 1.7–1.9 V; VDDQ 1.4–VDD

利点

  • 全二重アクセスで帯域向上
  • バーストでアドレス周波数低減
  • 250 MHzで高速リンク対応
  • バス回転不要で競合回避
  • 2サイクル遅延でタイミング容易
  • QDR Iで既存タイミング対応
  • ODTで外付け抵抗とBOM削減
  • CQ/CQで高速キャプチャ簡単
  • QVLDで読出し信頼性向上
  • PLLで出力タイミング余裕増
  • インピ整合でリンギング低減
  • VDD/VDDQ範囲で電源設計容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ