CY7C15632KV18-500BZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C15632KV18-500BZXI

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C15632KV18-500BZXI
CY7C15632KV18-500BZXI


製品仕様情報

  • Frequency
    500 MHz
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II+
  • メモリ容量
    72 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~1.9 V
  • 組織 (X x Y)
    4M x 18
  • 認定
    Industrial

OPN
CY7C15632KV18-500BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
CY7C15632KV18-500BZXIは72-Mbit QDR II+同期パイプラインSRAM(4 M × 18)で、独立リード/ライトポートにより同時アクセスに対応し、バスターンアラウンドを不要にします。最大500 MHz動作、DDR転送(データレート1,000 MHz)、4ワードバースト、DOFFがHIGH時は2.5サイクルのリードレイテンシ。VDDは1.7 V~1.9 V、VDDQは1.4 V~VDD、Pb-free 165ボールFBGAで-40~+85°C。

特長

  • QDR II+ SRAM、72 Mbit
  • 読出し/書込み独立ポート
  • 同時リード/ライト対応
  • 500 MHzクロック動作
  • DDR I/O、1000 MHz転送
  • 4ワード・バースト構造
  • 2.5サイクル読出し遅延
  • CQ/CQエコークロック
  • QVLDで有効データ表示
  • IEEE 1149.1 JTAG対応

利点

  • 72 Mbitで大容量バッファ
  • バス切替不要で帯域向上
  • 並列R/Wで競合を低減
  • 500 MHzで高スループット
  • DDRでクロック当たり倍速
  • バーストでアドレス負荷低減
  • 一定レイテンシで設計容易
  • CQ/CQで高速取り込み簡単
  • QVLDで読出しミス低減
  • JTAGで基板テスト短縮

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ