CY62187EV30LL-55BAXI
Active and preferred
RoHS対応

CY62187EV30LL-55BAXI

High-Density 64 Mbit MoBL™ Parallel SRAM with Industrial Qualification
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62187EV30LL-55BAXI
CY62187EV30LL-55BAXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    64 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    4M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
CY62187EV30LL-55BAXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-LFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (001-50044)
梱包サイズ 420
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-LFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (001-50044)
梱包サイズ 420
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62187EV30LL-55BAXI is a high-performance CMOS static RAM designed for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable applications such as cellular phones. With ultra-low active current and an Automatic Power Down feature reducing power consumption by 99%, it offers efficient power management. The device also supports a standby mode and High-Z state for versatile operation. Detailed instructions for write and read operations ensure comprehensive functionality.

特長

  • Very high speed: 55 ns
  • Wide voltage range: 2.2 V to 3.6 V
  • Ultra-low standby power
  • Ultra-low active power
  • Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE features
  • Automatic Power Down when deselected
  • CMOS for optimum speed and power
  • Available in Pb-free 48-ball FBGA package

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ