CY62177EV18LL-70BAXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62177EV18LL-70BAXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62177EV18LL-70BAXI
CY62177EV18LL-70BAXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    32 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～2.25 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    2.25 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    70 ns

推奨
OPN
CY62177EV18LL-70BAXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85191)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85191)
梱包サイズ 210
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY62177EV18LL-70BAXIは32-Mbit CMOS SRAMで、2 M × 16または4 M × 8に構成でき、非同期の読み書きバッファに適します。1.65 V～2.25 V、-40°C～+85°Cで動作し、70 nsアクセスに対応。1 MHz時の動作電流は4.5 mA typ（5.5 mA max）、自動CEパワーダウンでスタンバイ3 µA typ（25 µA max）。1.0 Vでデータ保持。48ボールPbフリーFBGAで省スペース。

特長

  • 32 Mbit SRAM、2M×16/4M×8
  • 読/書込みサイクル70 ns
  • VCC動作1.65 V～2.25 V
  • ISB2待機電流 typ 3 µA
  • ISB2待機電流 max 25 µA
  • ICC typ 4.5 mA@1 MHz
  • ICC max 45 mA@fMax
  • OE/CEで3ステート(High-Z)
  • BLE/BHEで8-bitバイト制御
  • tDOE 35 ns、OE→データ有効

利点

  • 16-bit/8-bitバスに対応
  • 70 nsでスループット向上
  • 低電圧レールで動作可能
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 最大待機低減で休眠省電力
  • 低動作電流で発熱を低減
  • 高速バスタイミングに対応
  • High-Zでバス共有が容易
  • バイト書込みで帯域を節約
  • 高速OE読出しで即時取得

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ