CY62165E-3XWI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62165E-3XWI

データシート

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CY62165E-3XWI
CY62165E-3XWI
データシート


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • ページ アクセス時間
    45 ns
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    None
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    x8 / x16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推奨
OPN
CY62165E-3XWI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER UNSAWN
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER UNSAWN
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62165E-3XWIは16-MbitのMoBLスタティックRAMダイで、KGD3の既知良品としてウエハ形態（XW、25～30 mil）で提供されます。パッド接続により1 M×16または2 M×8に構成でき、オーダコードはx16バス幅を示します。産業用温度グレード向けで、CE、WEなどの制御とバイトイネーブル（x16時のBHEB/BLEB）を備え、組込みメモリ設計に適します。

特長

  • 16 Mbit SRAM(1M×16/2M×8)
  • BYTEBで×16/×8バス選択
  • I/O8–15は×16時のみ有効
  • SAで2M×8用アドレス追加
  • WE/OEはアクティブLow
  • CE1はアクティブLow
  • CE2はアクティブHigh
  • VCCQ/VSSQはVCC/VSS接続
  • 全VCCパッドはダイ内短絡
  • 全VSSパッドはダイ内短絡
  • DNUパッドはフローティング
  • 各側でVCC/VSSを1点以上結線

利点

  • ×16/×8でバスに最適化
  • BYTEB固定で外付け論理削減
  • ×8でボンディングI/O削減
  • SAで×8のアドレス拡張
  • WE/OE Lowで設計しやすい
  • CE2本でデコード簡素化
  • I/O電源で接続性を向上
  • VCC/VSS短絡で電圧降下低減
  • 電源パッド多数で安定動作
  • DNU規定で損傷リスク低減
  • 結線要件で手戻り防止
  • パッド表で実装統合を短縮

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ