CY62158EV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62158EV30LL-45BVXIT

データシート
パッケージ

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CY62158EV30LL-45BVXIT
CY62158EV30LL-45BVXIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 8
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62158EV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62158EV30LL-45BVXITはMoBLの8-Mbit（1024K×8）CMOS SRAMで、携帯型組込み機器など低消費電力の電池駆動設計向けです。45 nsアクセス、2.2 V～3.6 V動作、-40°C～+85°C対応。ICCは代表値6 mA（1 MHz、最大7 mA）、fmaxで代表値18 mA（最大25 mA）。チップイネーブル自動パワーダウンでスタンバイは代表値2 µA（最大8 µA）。48ボールPbフリーVFBGA（BV）。

特長

  • 8 Mbit SRAM 1024K×8構成
  • 45 ns読出/書込サイクル
  • OE→データ有効 22 ns
  • 単一電源 2.2～3.6 V
  • 1 MHz動作電流 6 mA typ
  • fmax 18 mA typ/25 mA max
  • 待機 2 µA typ/8 µA max
  • 非選択時 自動パワーダウン
  • VCC≥1.5 Vでデータ保持
  • ICCDR 3.2 µA typ/8 µA max
  • OE制御の3ステート出力
  • CE1/CE2でメモリ拡張

利点

  • 45 nsでアクセス遅延を低減
  • 22 nsで読出し応答を短縮
  • 2.2～3.6 Vで3.3 V系に対応
  • 6 mAでバッテリー寿命を改善
  • 低待機でスリープ消費低減
  • 自動PDでアイドル電力削減
  • 1.5 V保持で状態を保持
  • 3ステートでバス共有が容易
  • CE1/CE2で容量拡張が容易
  • CMOSレベルでMCU接続容易
  • 低リークでデータ信頼性向上
  • 高速動作で処理性能を向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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