CY62157EV30LL-45BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157EV30LL-45BVXI

High-Density 8 Mbit MoBL™ Parallel SRAM for Industrial Applications
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62157EV30LL-45BVXI
CY62157EV30LL-45BVXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62157EV30LL-45BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
個.
在庫あり
CY62157EV30LL-45BVXI is an 8-Mbit (512K × 16) CMOS SRAM with 45 ns access time and 2.20 V to 3.60 V supply. It targets low-power systems with typical ICC 6 mA at 1 MHz (18 mA typ at fmax) and standby ISB 2 µA typical (8 µA max). Automatic CE power-down and data retention at VDR = 1.5 V (ICCDR 8 µA max) support battery-backed memory. Pb-free 48-ball VFBGA, Industrial –40°C to +85°C.

特長

  • 8-Mbit SRAM, 512K × 16
  • Configurable 512K×16 or 1M×8
  • 45 ns read cycle time (tRC)
  • 22 ns OE to data valid (tDOE)
  • 2.20 V to 3.60 V VCC range
  • 2 µA typ standby current (ISB)
  • 6 mA typ active at 1 MHz
  • Auto power-down when deselected
  • Byte enables BHE/BLE for 8-bit
  • High-Z outputs when deselected
  • Data retention at 1.5 V VDR
  • 10 pF max input/output capacitance

利点

  • 8-Mbit density saves board space
  • 1M×8 option eases bus matching
  • 45 ns access supports fast CPUs
  • 22 ns OE enables quick reads
  • 2.2–3.6 V fits common rails
  • 2 µA standby extends battery life
  • 6 mA active cuts run power
  • Auto power-down reduces idle drain
  • Byte writes avoid read-modify-write
  • High-Z I/O simplifies bus sharing
  • 1.5 V retention keeps data in sleep
  • 10 pF I/O eases signal integrity
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ