Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY62157EV30LL-45BVXI

High-Density 8 Mbit MoBL™ Parallel SRAM for Industrial Applications
EA.
在庫あり

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CY62157EV30LL-45BVXI
CY62157EV30LL-45BVXI
EA.

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    2.2 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Industrial
OPN
CY62157EV30LL-45BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
包装サイズ 4800
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
包装サイズ 4800
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CY62157EV30LL-45BVXI is a high-performance CMOS static RAM designed to provide ultra-low active current, making it ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable applications like cellular telephones. Its automatic power down feature significantly reduces power consumption, and it offers versatile operation with high impedance state and standby mode.

機能

  • High speed: 45 ns
  • Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 V
  • Pin compatible with CY62157DV30
  • Ultra low standby power
  • Ultra low active power
  • Automatic power down when deselected 

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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