CY62157EV30LL-45BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157EV30LL-45BVXI

High-Density 8 Mbit MoBL™ Parallel SRAM for Industrial Applications
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62157EV30LL-45BVXI
CY62157EV30LL-45BVXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62157EV30LL-45BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62157EV30LL-45BVXIは8-Mbit（512K×16）のCMOS SRAMで、45 nsアクセス、2.20 V～3.60 V電源に対応します。ICCは1 MHzで典型6 mA（fmaxで典型18 mA）、スタンバイISBは典型2 µA/最大8 µA。CE自動パワーダウンとVDR=1.5 Vのデータ保持（ICCDR最大8 µA）で電池バックアップ用途に適します。Pb-free 48-ball VFBGA、工業温度–40°C～+85°C。

特長

  • 8 Mbit SRAM、512K×16
  • 512K×16/1M×8切替
  • 読出しtRC=45 ns
  • OE→有効tDOE=22 ns
  • VCC 2.20 V～3.60 V
  • 待機電流 typ 2 µA
  • 1 MHz動作 typ 6 mA
  • 非選択で自動パワーダウン
  • BHE/BLEでバイト書込
  • 非選択時出力はハイZ
  • データ保持VDR=1.5 V
  • I/O容量 最大10 pF

利点

  • 8 Mbitで基板スペース削減
  • 1M×8でバス整合が容易
  • 45 nsで高速CPUに対応
  • 22 ns OEで高速読出し
  • 2.2～3.6 Vで電源互換
  • 2 µA待機で電池寿命延長
  • 6 mA動作で消費電力低減
  • 自動PDでアイドル電力低減
  • バイト書込でRMW回避
  • ハイZでバス共有が簡単
  • 1.5 V保持でスリープ維持
  • 10 pFで信号品質を確保
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ