CY62147EV30LL-45B2XI
Active and preferred
RoHS対応

CY62147EV30LL-45B2XI

データシート
パッケージ

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CY62147EV30LL-45B2XI
CY62147EV30LL-45B2XI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62147EV30LL-45B2XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 960
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62147EV30LL-45B2XIは4-Mbit（256K×16）のCMOS SRAMで、携帯機器など電池駆動システム向けに45 nsアクセスを提供します。2.2 V～3.6 Vで動作し、温度範囲は−40°C～+85°C。BLE/BHEによりバイト書き込みに対応。自動CEパワーダウン、スタンバイ2.5 µA（最大7 µA）、1 MHz時の動作電流3.5 mA（typ）を備えます。Pb-free 48ボールVFBGA（デュアルチップイネーブル）で提供。

特長

  • 256K×16 SRAM構成
  • 45 ns読出し/書込み周期
  • 2.2 V～3.6 V単一電源
  • 1 MHz時3.5 mA(typ)
  • 待機2.5 µA(typ)
  • データ保持VCC 1.5 V
  • データ保持最大8.8 µA
  • 非選択時自動パワーダウン
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • OE制御の3ステート出力
  • 入出力リーク±1 µA
  • >2001 V ESD(MIL-STD-883)

利点

  • 16ビットSRAMでバッファ最適
  • 45 nsでCPU高速アクセス
  • 2.2～3.6 Vで3 V系に適合
  • 低動作電流で消費電力低減
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 1.5 Vバックアップで保持
  • 低ICCDRで保持電源が容易
  • アイドル時自動省電力
  • バイト書込みでバス負荷低減
  • 3ステートでバス共有が容易
  • 低リークで低消費設計向き
  • 高ESDで堅牢性が向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ