CY62138FV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62138FV30LL-45BVXIT

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CY62138FV30LL-45BVXIT
CY62138FV30LL-45BVXIT


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 8
  • 認定
    Industrial

OPN
CY62138FV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-36 (51-85149)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-36 (51-85149)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62138FV30LL-45BVXITは2-Mbit(256 K × 8)のCMOS SRAMで、45 nsアクセスで高速ランダム読書きに対応します。2.2 V~3.6 V、–40°C~85°Cで動作し、CE1/CE2とOE/WE制御を備え、非選択時は自動パワーダウンします。1 MHz時1.6 mA typ(最大2.5 mA)、スタンバイは1 µA typ(最大5 µA)。Pbフリー36ボールVFBGAです。

特長

  • 2 Mbit SRAM、256K×8
  • 45 ns読/書サイクル
  • VCC範囲2.2 V~3.6 V
  • ICC 1.6 mA typ@1 MHz
  • 待機1 µA typ/5 µA max
  • 非選択時に自動パワーダウン
  • VCC=1.5 Vでデータ保持
  • VCC=1.5 VでICCDR 4 µA max
  • 18ビットA0~A17アドレス
  • 8ビット双方向I/O0~I/O7
  • デュアルチップイネーブルCE1/CE2
  • 非選択時は出力High-Z

利点

  • 8ビットMCUバスに直結
  • 45 nsで高速CPUアクセス対応
  • 2.2~3.6 Vで3 V電源に適合
  • 低ICCで動作時の電力低減
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 自動パワーダウンで待機節電
  • 1.5 V保持でスリープ中も保持
  • 低ICCDRで保持電流を低減
  • 18ビットでメモリ割付が容易
  • High-Zでバス競合を防止
  • デュアルCE/OEで拡張が簡単
  • 非同期SRAMで設計を短縮

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ