CY62137FV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62137FV30LL-45BVXIT

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62137FV30LL-45BVXIT
CY62137FV30LL-45BVXIT
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62137FV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62137FV30LL-45BVXITは2 Mbit（128 K × 16）のCMOS SRAMで、45 nsアクセスにより高速の電池駆動機器に適します。2.2 V～3.6 V、−40°C～+85°Cで動作し、BLE/BHEのバイト制御とCE/OEによるメモリ拡張に対応。非選択時は自動パワーダウン。1 MHzでICC 1.6 mA typ（最大2.5 mA）、スタンバイ1 µA typ（最大5 µA）。BVは48ボールPbフリーVFBGAです。

特長

  • 2 Mbit SRAM、128K×16
  • 45 ns読出/書込サイクル
  • VCC動作範囲2.2–3.6 V
  • 周囲温度−40°C〜+85°C
  • 1 MHz時ICC典型1.6 mA
  • fmax時ICC典型13 mA
  • 待機電流典型1 µA
  • 待機電流最大5 µA
  • 非選択で自動パワーダウン
  • BLE/BHEバイトイネーブル
  • VCC=1.5 Vでデータ保持
  • 1.5 V時ICCDR最大4 µA

利点

  • 16ビットで帯域を向上
  • 45 nsでCPU待ちを低減
  • 2.2–3.6 Vで3 V系に適合
  • −40〜+85°Cで環境耐性
  • 低動作電流で省エネ
  • 低待機で電池寿命を延長
  • 自動パワーダウンで待機節電
  • バイト書込みで更新省電力
  • High-Zでバス共有が容易
  • 1.5 V保持でデータ保持
  • CE/OEで拡張が簡単
  • 低リークで信頼性を向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ