CY62137FV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62137FV30LL-45BVXIT

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62137FV30LL-45BVXIT
CY62137FV30LL-45BVXIT
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62137FV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY62137FV30LL-45BVXIT is a 2-Mbit (128 K × 16) CMOS SRAM with 45 ns access for fast, battery-powered designs. It runs from 2.2 V to 3.6 V across −40°C to +85°C and supports byte control via BLE/BHE with CE/OE for expansion. Automatic power-down reduces current when deselected; ICC is 1.6 mA typ at 1 MHz (2.5 mA max) and standby is 1 µA typ (5 µA max). The BV option is a 48-ball Pb-free VFBGA.

特長

  • 2-Mbit SRAM, 128K × 16
  • 45 ns read/write cycle time
  • VCC operating range 2.2 V to 3.6 V
  • Ambient TA −40°C to +85°C
  • 1.6 mA typ ICC at 1 MHz
  • 13 mA typ ICC at fmax
  • 1 µA typ standby current (ISB)
  • 5 µA max standby current (ISB)
  • Auto power-down when deselected
  • BLE/BHE byte enables (8-bit)
  • Data retention at VCC = 1.5 V
  • ICCDR max 4 µA at 1.5 V

利点

  • 16-bit bus boosts bandwidth
  • 45 ns access reduces CPU stalls
  • 2.2–3.6 V fits 3 V rails
  • −40 to +85°C handles harsh envs
  • Low active current cuts energy use
  • Low standby extends battery life
  • Auto power-down saves idle power
  • Byte writes reduce update energy
  • High-Z outputs ease bus sharing
  • 1.5 V retention preserves data
  • CE/OE control simplifies expansion
  • Low leakage supports data integrity

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ