CY62137FV18LL-55BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62137FV18LL-55BVXIT

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パッケージ
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在庫あり

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CY62137FV18LL-55BVXIT
CY62137FV18LL-55BVXIT
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製品仕様情報

  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～2.25 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62137FV18LL-55BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62137FV18LL-55BVXIは2 Mbit（128K×16）のCMOS非同期SRAMで、低消費電力の携帯機器向けです。1.65 V～2.25 V、-40°C～+85°Cで動作し、55 nsアクセスを実現。アクティブ電流は1 MHzで1.6 mA typ（2.5 mA max）、fmaxで13 mA typ（18 mA max）。非選択時の自動パワーダウンでスタンバイ1 µA typ（5 µA max）、バイトイネーブルで×8/×16対応。Pb-free 48ボールVFBGA。

特長

  • 128K×16 CMOS SRAM
  • 読出しtRC=55 ns
  • 書込みtWC=45 ns
  • VCC 1.65～2.25 V
  • 待機電流 typ 1 µA
  • 待機電流 max 5 µA
  • 1 MHz時ICC typ 1.6 mA
  • 非選択時は自動パワーダウン
  • BLE/BHEで8ビット選択
  • OE制御の3ステートI/O

利点

  • 16ビットでアクセス回数削減
  • 55 nsで高速MCUに対応
  • 45 ns書込みでスループット向上
  • 1.8 V系の低電圧電源に適合
  • 1 µA待機で電池寿命を延長
  • 最大5 µAでスリープ設計容易
  • 動作電流が低く発熱を抑制
  • 自動PDで消費電力を削減
  • バイト書込みで切替電力低減
  • 3ステートでバス拡張が容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ