CY62128EV30LL-45SXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62128EV30LL-45SXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62128EV30LL-45SXI
CY62128EV30LL-45SXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    1 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62128EV30LL-45SXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
CY62128EV30LL-45SXIは1 Mbit（128K×8）のCMOS非同期SRAMで、電池駆動の3 V設計向けです。2.2 V～3.6 V、-40°C～+85°Cで動作し、45 nsアクセスに対応します。低消費電力として1 MHz時の動作電流は1.3 mA typ、CE1/CE2による自動パワーダウン待機は1 µA typ（4 µA max）で、非選択時またはOE HIGHでI/Oはハイインピーダンスです。-45SXIはPb-freeの32ピン450-mil SOICです。

特長

  • 1 Mbit SRAM、128K×8構成
  • 45 ns読出/書込サイクル
  • 2.2 V～3.6 V単一電源
  • 自動CEパワーダウン(ISB1/2)
  • スタンバイ1 µA typ、4 µA max
  • 1 MHzで1.3 mA typ動作
  • VCC=1.5 Vでデータ保持
  • データ保持電流3 µA max
  • OE/WEでI/Oバスを3ステート
  • 入出力容量最大10 pF
  • ESD>2001 V(883-3015)
  • 動作温度-40°C～+85°C

利点

  • 小容量コード/データに適合
  • 45 nsで高速メモリアクセス
  • 2.2–3.6 Vで3 V系に対応
  • パワーダウンで待機電力削減
  • µA級待機で電池寿命を延長
  • 低動作電流で消費電力低減
  • バックアップ時もデータ保持
  • 3 µA maxで保持設計が容易
  • 3ステートで拡張が容易
  • 低容量で信号品質を維持
  • 高ESD耐性で故障を低減
  • -40°C～+85°Cで信頼性向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ