CY62126EV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62126EV30LL-45BVXIT

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CY62126EV30LL-45BVXIT
CY62126EV30LL-45BVXIT
個.

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64K x 16
  • 認定
    Industrial
OPN
CY62126EV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62126EV30LL-45BVXITは1-Mbit(64K×16)のCMOS SRAMで、45 nsアクセス、3 V系(2.2 V~3.6 V)動作です。BLE/BHEでバイト書き込みに対応し、CEがHIGHまたはOEがHIGHのときI/Oを3ステート化します。自動CEパワーダウンで電流を低減し、スタンバイ1 µA typ(4 µA max)、1 MHz時ICC 1.3 mA typ。–40°C~+85°C、Pb-free 48ボールVFBGAパッケージ。

特長

  • 1 Mbit SRAM、64K×16構成
  • 45 nsの読出し/書込み周期
  • 2.2 V~3.6 V単一電源VCC
  • 1 MHzで動作電流1.3 mA
  • スタンバイ電流 最大4 µA
  • アドレス静止で自動省電力
  • VCC 1.5 Vまでデータ保持
  • データ保持電流 最大3 µA
  • BLE/BHEでバイト書込み対応
  • CE/OE/BHE/BLEで3ステート

利点

  • 16ビットでMCUアクセス削減
  • 45 nsで高速SRAM接続に対応
  • 2.2–3.6 Vで3 V系に適合
  • 低動作電流で駆動時間延長
  • µA級待機でスリープ消費低減
  • 自動省電力でアイドル損失低減
  • 1.5 Vで深いスリープでも保持
  • 低ICCDRでバックアップ負荷低減
  • バイト書込みで書込み電力削減
  • 3ステートでバス共有・拡張容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ