CY15B104QN-50SXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY15B104QN-50SXIT

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY15B104QN-50SXIT
CY15B104QN-50SXIT
個.
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    1.8 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    1.8 V～3.6 V
  • 周波数
    50 MHz
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推奨
OPN
CY15B104QN-50SXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY15B104QN-50SXITは4Mb EXCELON™ LP強誘電体RAM（F-RAM）で、極めて高い読み書き耐久性と151年のデータ保持を実現します。1.8 V～3.6Vの電源、–40°C～+85°Cの産業用温度範囲で動作し、最大50MHzのSPIインターフェースによる即時書き込みが可能です。高度な書き込み保護、ユニークなデバイスID、低消費電力モードを備え、8ピンSOICパッケージはRoHS対応で産業や制御用途に適しています。

特長

  • 4-Mb強誘電体RAM、512K×8構成
  • 10^15回の読み書き耐久性
  • 70°Cで151年データ保持
  • SPIインターフェース最大50 MHz
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • 専用256バイト特別セクタ
  • ユニークIDとシリアル番号
  • 動作電流2.4 mA@40 MHz
  • 待機電流2.3 µA（代表値）
  • ディープパワーダウン0.7 µA
  • ハイバネート0.1 µA

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 摩耗なし、重要用途に最適
  • 長期データ保持、リフレッシュ不要
  • 高速SPIでシステム設計容易
  • 標準SPIで柔軟に統合
  • データ保護・改ざん防止強化
  • 特殊セクタでリフロー耐性
  • デバイス管理・認証が容易
  • 低消費電力で電池長寿命
  • 待機時の消費電力を低減
  • ディープスリープで待機電力低減
  • ハイバネートで超低消費待機

アプリケーション

産業用オートメーション
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ