Active and preferred
RoHS準拠

CY15B101N-ZS60XM

Highly reliable, low-power data logging memory with virtually unlimited endurance
データシート
パッケージ

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CY15B101N-ZS60XM
CY15B101N-ZS60XM
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    NiPdAu and Pure Sn
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    2 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64Kx16
  • 認定
    Military
  • 速度
    60 ns
推奨
OPN
CY15B101N-ZS60XM
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory or FeRAM) is a standalone non-volatile memory that enables you to instantly capture and preserve critical data when power is interrupted. They are ideal for mission-critical data logging applications like flight control error logging or life-enhancing patient monitoring devices. Designed in a low-power, small footprint, F-RAMs offer instant non-volatility and virtually unlimited endurance without compromising on speed or energy efficiency.

機能

  • 1 Mbit (64K x 16) density
  • SRAM compatible, industry-standard 64K x 16 SRAM pinout
  • Infineon’s instant write technology
  • Infinite Read/Write endurance
  • 120-year data retention
  • -55°C to 125°C
  • 44-pin TSOP

利点

  • No battery concerns
  • Ultra-low power
  • Consume 200x less energy than EEPROMs
  • 3000x less than NOR flash
  • Performs write operations at bus speed
  • No write delays are incurred
  • Immune to external magnetic fields
  • True surface-mount, no rework steps
  • Superior for moisture, shock & vibration

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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