Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14V101NA-BA45XI

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14V101NA-BA45XI
CY14V101NA-BA45XI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    64K x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY14V101NA-BA45XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 1495
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 1495
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY14V101NA-BA45XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた1Mビット (64K×16) の並列nvSRAMで、電源オフ時に自動的にデータをSTOREし、電源オン時にデータをRECALLすることができます。48ボールFBGAパッケージで、45 nsのアクセス、3.0 V～3.6 VのコアVCC (1.65 V～1.95 VのVCCQ I/O) 、産業用-40℃～85℃の動作温度範囲、20年間のデータ保持、および100万回の不揮発性STOREサイクルをサポートします。

特長

  • 1 Mbit nvSRAM(128Kx8/64Kx16)
  • 25 ns/45 nsアクセス時間
  • 電源断でAutoStore(VCAP)
  • HSB端子/ソフトでSTORE
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • データ保持20年
  • QuantumTrap 100万回STORE
  • SRAM R/WとRECALL無制限
  • コアVCC 3.0 V～3.6 V
  • I/O VCCQ 1.65 V～1.95 V
  • スタンバイISB最大8 mA
  • 入力リークIIX最大±1 µA

利点

  • SRAMのような高速ランダムアクセス
  • 電源喪失時の自動バックアップ
  • バッテリーバックアップSRAMの回避
  • チェックポイント用の手動STORE
  • 電源復旧後の状態復元
  • 20年間の保管寿命に対応するデータ保持
  • 頻繁な不揮発性保存操作に対応する耐久性
  • 通常のSRAM使用における摩耗なし
  • 標準的な3.3 Vコア電源レールに適合
  • 1.8 Vロジックレベルへのインターフェース
  • スタンバイ時の待機電力低減
  • 低リークによるバス負荷低減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }