CY14V101LA-BA25XIT

パッケージ

CY14V101LA-BA25XIT

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

1 MBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
組織 (X x Y)

128K x 8
認定

Industrial

	推奨
OPN	CY14V101LA-BA25XIT
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TFBGA-48
パッケージ名	FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ	2000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TFBGA-48
パッケージ名	FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ	2000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

CY14V101LA-BA25XITは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性セルを組み合わせた1Mビット (128K×8) の並列nvSRAMです。コア電圧は3.0 V～3.6 V、VI/O電圧は1.65 V～1.95 Vで動作し、アクセス時間は25 ns、動作温度範囲は-40℃～85℃です。AutoStoreは、61 μF～180 µFのVCAPコンデンサーを使用して、電源オフ時にSRAMを不揮発性メモリに保存します。RECALLは、電源オン時に復元します。耐久性は100万回のSTOREサイクル、保持期間は20年です。

特長

1 MビットnvSRAM (128Kx8/64Kx16)
25 ns および 45 ns のアクセス時間
電源断時のAutoStore (VCAP)
HSBピンまたはソフトウェア経由でSTORE
電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
データ保持期間: 20年
STOREサイクル: 100万回 (QuantumTrap)
SRAM読み出し/書き込みおよびRECALLは無制限
コアVCC: 3.0 V～3.6 V
I/O VCCQ: 1.65 V～1.95 V
スタンバイ電流ISB: 最大8 mA
入力リーク電流IIX: 最大 ±1 μA

利点

SRAMのような高速ランダムアクセス
停電時の自動バックアップ
バッテリーバックアップ付きSRAMを回避
チェックポイントの手動STORE
電源復旧後に状態を復元します
20年間保存可能なデータを保持
頻繁な不揮発性セーブに耐える
通常のSRAM使用では摩耗しません
標準的な3.3 Vコアレールに適合
1.8 Vロジックレベルへのインターフェース
スタンバイ時の待機電力を削減
漏洩が少ないため、バスの負荷が軽減されます

アプリケーション

中電圧中間バスコンバーター (IBC) (48 V)

デザインリソース

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CY14V101LA-BA25XIT

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

CY14V101LA-BA25XIT

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