CY14U256LA-BA35XI

データシート

パッケージ

CY14U256LA-BA35XI

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

256 kBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 85 °C
動作電圧 (範囲)

2.7 V ～ 3.6 V
組織 (X x Y)

32Kb x 8
認定

Industrial
速度

35 ns

	推奨
OPN	CY14U256LA-BA35XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TFBGA-48
パッケージ名	FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ	2990
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TFBGA-48
パッケージ名	FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ	2990
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

CY14U256LA-BA35XIは、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた256Kビット (32K×8) の並列nvSRAMです。電源オフ時に120～180 µFのVCAPコンデンサーを使用して自動STOREし、電源オン時に呼び出し (RECALL) を実行します。ハードウェアまたはソフトウェアによるSTORE/RECALLのサポートが可能です。本デバイスは2.7〜3.6 Vのコア電源および1.65〜1.95 VのI/O電源で動作し、35 nsのアクセス時間、20年のデータ保持、100万回のSTOREサイクルを備えています。また、–40〜85℃ に対応した48ボールFBGAパッケージを採用しています。

特長

32K×8 SRAM+不揮発
SRAMアクセス35 ns
電源断でAutoStore(VCAP)
VCAP容量120–180 µF
STORE:自動/ピン/ソフト
電源投入orソフトRECALL
HSBオープンドレインBusy
VCC低下で書込/STORE禁止
VCCQ低下でI/O無効
VCC 2.7–3.6 V
VCCQ 1.65–1.95 V
20年保持, 1000K STORE

利点

停電時にもデータを保持
35 ns SRAMが待機状態を削減
AutoStoreはファームウェアの操作を必要としません
VCAPはシンプルな停電対策機能を提供します
ピンまたはSW STOREは多くのデザインに対応
電源を入れるたびに高速復元
HSBビジーフラグは衝突を回避します
低VCC抑制によりデータ破損を防ぎます
I/Oオフはブラウンアウト書き込みをブロックします
コア電源は3.3 Vレールに対応
低電圧I/OはMPUに対応
頻繁なデータ保存でも長持ち

用途

デザインリソース

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }

CY14U256LA-BA35XI

Content could not be loaded

製品仕様情報

特長

利点

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

CY14U256LA-BA35XI

Content could not be loaded

製品仕様情報