CY14U256LA-BA35XI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14U256LA-BA35XI

データシート
パッケージ

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CY14U256LA-BA35XI
CY14U256LA-BA35XI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    35 ns
推奨
OPN
CY14U256LA-BA35XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ 2990
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ 2990
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14U256LA-BA35XIは、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた256Kビット (32K×8) の並列nvSRAMです。電源オフ時に120～180 µFのVCAPコンデンサーを使用して自動STOREし、電源オン時に呼び出し (RECALL) を実行します。ハードウェアまたはソフトウェアによるSTORE/RECALLのサポートが可能です。本デバイスは2.7〜3.6 Vのコア電源および1.65〜1.95 VのI/O電源で動作し、35 nsのアクセス時間、20年のデータ保持、100万回のSTOREサイクルを備えています。また、–40〜85℃ に対応した48ボールFBGAパッケージを採用しています。

特長

  • 32K × 8高速SRAM + 不揮発性
  • SRAMアクセス時間: 35 ns
  • 電源断時のAutoStore (VCAP)
  • VCAPコンデンサ120～180 μF
  • AutoStore、ピン、ソフトウェア経由でSTORE
  • 電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
  • HSBオープンドレインのビジー インジケーター
  • 低VCCで書き込み/STOREを禁止
  • VCCQが低すぎる場合、I/Oは無効
  • VCC 2.7～3.6 V電源
  • VCCQ I/O電源: 1.65 V～1.95 V
  • データ保持期間20年、書き込み回数（STORE）100 万回

利点

  • 停電時にもデータを保持
  • 35 ns SRAMが待機状態を削減
  • AutoStoreはファームウェアの操作を必要としません
  • VCAPはシンプルな停電対策機能を提供します
  • ピンまたはSW STOREは多くのデザインに対応
  • 電源を入れるたびに高速復元
  • HSBビジーフラグは衝突を回避します
  • 低VCC抑制によりデータ破損を防ぎます
  • I/Oオフはブラウンアウト書き込みをブロックします
  • コア電源は3.3 Vレールに対応
  • 低電圧I/OはMPUに対応
  • 頻繁なデータ保存でも長持ち

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ