CY14B116N-BZ25XIT

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データシート

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CY14B116N-BZ25XIT
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データシート

製品仕様情報

  • Density
    16384 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
CY14B116N-BZ25XITは、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた16MビットのnvSRAM (1024K×16) です。電源オフ時にはVCAPコンデンサーを使用してハンズフリーのAutoStoreを実行し、電源オン時にはRECALLを実行します。オプションでソフトウェアまたはHSBによる制御も可能です。CY14B116Xは、-40℃～85℃の温度範囲で2.7 V～3.6 Vの電圧で動作し、25 nsのアクセスをサポートし、20年間のデータ保持と100万回のSTOREサイクルに対応しています。

特長

  • 16 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
  • QuantumTrap不揮発性セル技術
  • QuantumTrapへのSTOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • SRAM読み出し/書き込み/RECALLは無制限
  • スリープモード電流: 最大10 μA
  • 電源投入時のRECALL時間: 30 ms
  • STOREサイクル時間: 8 ms
  • VCAPコンデンサ: 19.8 μF～82 μF

利点

  • 電源喪失時のデータ保持
  • データ保持にバッテリー不要
  • 柔軟な保存/復元制御
  • 電源復旧後の高速再起動
  • 頻繁な保存操作に対応する高いSTORE耐久性
  • SRAM書き込みによる摩耗なし
  • 保存データの長寿命
  • スリープによる待機時消費電力削減
  • 10 µAスリープ対応の低消費電力システム
  • 予測可能なシャットダウン時保存時間
  • シンプルなホールドアップコンデンサーによる設計容易化
  • STORE/RECALL中のアクセス遮断

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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